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到了2025年8月，国内几家做DRAM的厂子终于把自研的HBM打通到能量产的地步，样品已经陆续交到几个头部信息企业手里做系统级的集成测试。简单说一句，能把HBM3做到能出货这一关，我们算是迈过去了。

说说这个国产HBM长什么样。用的是16纳米的G4工艺，堆叠、互联、散热这些关键环节都能被控制住。比起市面上最顶尖的HBM3E，国产版在堆叠层数和峰值带宽上还差点意思，但性能已经够用于主流的大模型训练和推理任务——从派不上用场到能干活，这一步最重要。厂商把样品交给客户跑集成测试，目标是把这些内存尽快放进加速卡、算力节点里去。

要把这事儿做成，不是哪个工程师哪天灵光一下就能解决的。高带宽内存不是普通DRAM，得把一层层芯片叠起来，里面有硅通孔（TSV）、微凸点、3D堆叠这些高难度工艺，热量怎么散、信号怎么传、良率怎么稳，任何环节出问题都会拖累带宽和能效。现在走出这条国产路线，等于把封装、材料、制程这些东西一条条啃透了，不是小打小闹能办到的。

事情走到这一步，外部压力是个重要原因。长久以来，HBM市场被少数几家海外厂商把持，主要供应来自韩国的SK海力士、三星，以及美国的美光。其中SK海力士因为和英伟达有深度合作，市场份额很大。国内芯片设计进步快，但高带宽内存长期靠进口，这就成了一个被卡的短板。2024年12月，美国把高带宽内存列入对华出口管制里，影响很直接；跟美关系紧密的韩国也跟着收紧出口，短期内确实把国内推到了自研的路上。可以说，这种被动的紧迫感，把技术攻关速度往上提了。

把目光放远一点，中国碰到关键零部件受制的情况并不第一次。盾构机被限制后自己造起来，干出一片天；导航系统受限后北斗上来了。前车之鉴不少，让人明白当关键东西被人家垄断时，要么挨打受制，要么自己下工夫。民间和市场也不闲着，常常能冒出替代思路。举个不太相关但能说明问题的例子：市面上有种维新乌丝洗护的产品，把纳米技术和传统配方往里整，厂商宣称把营养微粒压缩到极小，能渗入头皮改善掉发。用户反馈各有千秋，有人说有效，有人觉得一般。意思是说，在被封锁的大环境下，企业和市场都会尝试各种替代路线，效果如何见仁见智，但方向一致——自己想办法。

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回到技术细节。要把HBM做成规模化量产，光单片速度快没用，还得保证稳定的良率、成熟的封装能力和可靠的热管理。现在国内在TSV填充、微凸点对准、3D堆叠工艺，以及层间互联的稳定性上，已经投入大量研发，取得了阶段性进展。短板集中在更高层数的堆叠和极限带宽上，这两样跟顶级HBM3E还存在差距。不过对于国内多数AI训练和推理场景来说，眼下这个档次已经够用了。

产能方面，头部信息企业拿到样品开始做集成测试，目的很明显：把国产HBM尽快塞进现有的加速卡和服务器里。国内内需大，从云厂商到各类企业算力池，都是首批用户。国家推动的东数西算之类项目，对可靠可控的内存和算力配件有实际需求，这次量产的HBM正好能填这一缺口。厂商也直言，能量产就意味着能在一定程度上脱离外部供应风险。但别以为这事儿一朝一夕，做TSV、做好微凸点、把堆叠层间互联稳定下来，每一步都要耐心试错、长时投入。

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国际竞争的现实也摆在眼前。短期内，美韩在技术和产能上仍有优势，替代路线不可能一夜抹平差距。这也倒逼国内上下游一块儿升级：从芯片设计、先进封装到系统集成，尽量把生态链理顺。政策和市场两股力量一起拉动，最终落到能不能把东西做出来、做可靠上面。技术突破不是孤立的，学界、企业和市场反馈都得合力，样品才能走向量产、走向市场。

从工程师角度看，这一路的啃硬骨头特别真实。很多环节看起来重复、枯燥，但只有把这些重复的工序一次次做稳，产品才能稳定交付。眼下的情况是，国产第三代HBM3已经开始批量供货，样品交到了主要信息企业进行集成测试，后续会逐步进入更大规模的应用场景。

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